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BUZ32 H Image
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BUZ32 H

工場モデル BUZ32 H
メーカー Infineon Technologies
詳細な説明 MOSFET N-CH 200V 9.5A TO220-3
パッケージ PG-TO220-3
株式 6382 pcs
データシート BUZ32 HPart Number GuideMultiple Devices 30/Aug/2013
提案された価格 （米ドルでの測定）
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのInfineon Technologiesシリーズの電子コンポーネントを専門としています。6382のInfineon Technologies BUZ32 Hの断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール：info@Components-House.net
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規格

製品属性 属性値
同上@ VGS（TH）（最大） 4V @ 1mA
Vgs（最大） ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ PG-TO220-3
シリーズ SIPMOS®
同上、Vgsは@ RDSで、（最大） 400mOhm @ 6A, 10V
電力消費（最大） 75W (Tc)
パッケージ/ケース TO-220-3
パッケージ Tube
製品属性 属性値
運転温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ Through Hole
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 530 pF @ 25 V
FETタイプ N-Channel
FET特長 -
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 10V
ソース電圧（VDSS）にドレイン 200 V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 9.5A (Tc)

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